毫米波GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性影响研究
建立了毫米波GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)数值物理模型,模型中包含了GaN HEMT器件所特有的表面态、界面态、极化、陷阱等效应.模型模拟出的 DC 与RF 结果与实验测试数据吻合良好.基于建立的物理模型研究了槽栅对器件的高频噪声性能影响,仿真结果表明采用槽栅的GaNHEMT在80 GHz时,NFmin =3.73dB,最大可用功率增益(Gma)=8.55 dB,NFmin改善0.7 dB,Gma降低0.1 dB.原因在于槽栅结构增强了栅极对器件沟道内二维电子气(2 DEG)的控制,降低了沟道内载流子速度变化而引起的电流波动,使器件的高频噪声中的扩散噪声特性得到较好的改善.
高电子迁移率场效应晶体管 槽栅 物理模型 高频噪声
兰贵林 徐跃杭 陈勇波 付文丽 武鑫 国云川
电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,四川成都 611731
国内会议
成都
中文
103-106
2012-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）