蓝宝石衬底上高性能InAlN/GaN异质结及场效应晶体管研究
使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材料特性.研究表明材料表面原子台阶平整有序,室温最大Hall 迁移率达到1930cm2/V？s,为目前世界报道结果最高纪录.对制备出的异质结场效应晶体管器件进行小信号测试,在栅长0.2μm 下,实现截止频率ft 达到69GHz,说明了InAlN/GaN 异质结材料良好的应用前景.
InAlN/GaN异质结 HFET 迁移率 蓝宝石 截止频率
房玉龙 冯志红 敦少博 尹甲运 刘波 盛百城 何泽召 韩婷婷 张雄文 邢东
专用集成电路重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
国内会议
烟台
中文
25-28
2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）