InGaN基超辐射二极管
(0) 我们制作了InGaN基超辐射二极管,其一边为斜腔面,超辐射波长445.3nm,光谱的半高宽7.7nm；并比较了相同腔长(800um)的超辐射二极管和激光器的特性,如图1所示为不同电流下超辐射二极管和激光器的光谱,图2为超辐射二极管和激光器的输出光强和半高宽随注入电流的变化曲线,如图所示,当注入电流小于250mA 时,超辐射二极管和激光器的光谱半高宽基本相等,随着注入电流的增加,激光器的光谱半高宽急剧减小,当达到371mA时,激光器激射,光谱半高宽减小到0.4nm；而对超辐射二极管,当注入电流小于400mA时,超辐射二极管的光谱半高宽随注入电流的增加变化较快,为29.38nm/A,当注入电流为400mA 到650mA 之间时,随着注入电流的增加,光谱半高宽变化较缓慢,为7.6nm/A.我们分析了不同腔长的超辐射二极管的特性,如图3 所示为400um 腔长的超辐射二极管的光谱半高宽随注入电流的变化曲线,图4 为不同腔长的超辐射二极管的光强随注入电流和电流密度的变化曲线,图5 为不同腔长的超辐射二极管的光谱主峰位和半高宽随注入电流的变化曲线.超辐射二极管的腔长越小,到达超辐射状态的电流密度越大,相同电流密度下,超辐射二极管的输出功率随腔长的增加而增加.当电流密度超过27.5kA/cm2 时,超辐射管出现增益饱和,我们通过光谱分析证实节温升高为主要因素.
InGaN 超辐射二极管 增益饱和 腔长
曾畅 王峰 王怀兵 王辉 杨辉 冯美鑫 张书明 刘建平 李德尧 张立群 江德生 李增成 周坤
中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123 中国科学院半导体研究所,北京,100083
国内会议
烟台
中文
55-57
2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）