硅基PbS量子点发光薄膜的制备和表征
为了研制硅基发光器件，我们将PbS 溶胶量子点与PMMA光刻胶混合，在硅衬底上用旋涂法制备了表面平整、质地均匀的复合PbS 量子点光刻胶薄膜，用514nm的氩离子激光器泵浦可以实现光致发光，发光波长位于1338nm.我们进一步利用Vistec EBPG 5000+电子束曝光设备和ICP 刻蚀设备，在SOI 衬底上制备了高Q 值的硅基微盘.用旋涂法将PbS 量子点与微盘耦合，用微区光致荧光光谱仪观察到明显的谐振现象.
硅基发光器件 PbS量子点薄膜 电子束曝光 硅基光子学
黄增智 张永 李丹萍 曾成 夏金松 余金中
武汉光电国家实验室(筹),华中科技大学光电子科学与工程学院,430074,武汉 武汉光电国家实验室(筹),华中科技大学光电子科学与工程学院,430074,武汉;中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,100083,北京
国内会议
烟台
中文
84-87
2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）