重掺杂Te对GaAs薄膜晶格和发光特性的影响

摘要：

　　本文采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs 衬底上生长了电子浓度达6×1019cm-3 的重掺Te GaAs 外延薄膜,该样品的高分辨X 射线衍射(HR-XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明重掺Te 使GaAs 外延层的晶格膨胀并在表面产生突起。基于第一性原理,采用局域密度近似模型我们计算了掺Te GaAs 的禁带宽度,GaAs 外延薄膜的禁带宽度随Te 掺杂浓度的提高而减小,而该样品阴极射线发光(CL)测试结果表明掺Te 后 GaAs 外延层发光峰出现蓝移现象。

关键词： LP-MOCVD GaAs:Te 蓝移 第一性原理

作者: 孙玉润 李奎龙 王伟明 赵勇明 于淑珍 赵春雨 董建荣 杨辉

作者单位: 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123;中国科学院研究生院,北京 100049 中国国电集团新能源研究院太阳能技术研究所,北京海淀区西四环中路16 号,100029 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 105-108

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）