Ge衬底上MOCVD生长GaInP/InGaAs研究
本文研究利用MOCVD 在Ge 衬底上生长GaInP/InGaAs材料,通过优化Ge衬底预处理及GaInP成核层条件,得到了表面形貌良好的GaInP成核层.然后在此GaInP上生长了InGaAs缓冲层,原子力显微镜(AFM)测量显示InGaAs外延层的表面粗糙度Ra＜0.65nm.最后,利用二次离子质谱仪(SIMS)分析了Ge与Ⅲ–Ⅴ族半导体材料在界面处的互扩散,测试结果表明,采用GaInP成核层可以有效抑制Ga、As和Ge等原子在界面处的互扩散,GaInP可作为Ge衬底上生长Ⅲ–Ⅴ半导体材料及相关器件结构时抑制界面互扩散的阻挡层.
Ge GaInP InGaAs MOCVD SIMS
赵勇明 李奎龙 孙玉润 于淑珍 赵春雨 董建荣 杨辉
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏 苏州 215123
国内会议
烟台
中文
109-113
2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）