GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池中晶格失配In0.27Ga0.73As材料制备与性质研究
结合应力弛豫模型中的硬化机制,设计了组分梯度渐变的AlyGa1-x-yInxAs 缓冲层结构,并采用低压金属有机物化学气相沉积技术在7o偏角(001)GaAs衬底上以AlyGa1-x-yInxAs作缓冲层制备In0.27Ga0.73As(1.05eV)太阳电池材料.采用原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪和透射电镜对晶格失配的In0.27Ga0.73As材料的性质进行了表征,结果显示In0.27Ga0.73As外延层的表面粗糙度约为5nm,沿”110”与”-110”方向的晶格失配应变接近完全弛豫,且In0.27Ga0.73As中的穿透位错密度低于1×106cm-2.采用该缓冲层结构在GaAs衬底上研制的In0.27Ga0.73As单结太阳电池外量子效率达92％,在AM0光谱下的开路电压达0.63V,进一步证明采用组分梯度渐变AlyGa1-x-yInxAs缓冲层结构可以制备高质量的In0.27Ga0.73As晶格失配材料.
MOCVD InAlGaAs渐变缓冲层 晶格失配 穿透位错密度
于淑珍 董建荣 李奎龙 孙玉润 赵勇明 赵春雨 杨辉
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,215123,苏州,江苏
国内会议
烟台
中文
143-146
2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）