基于分子束外延(MBE)生长的GaAs/GaInP双结太阳电池

摘要：

　　我们报道了利用分子束外延方法(MBE)生长的GaAs/GaInP 双结太阳电池的最近结果.在一个太阳AM1.5G 下，光电转换效率达到27％.同时，单结的GaAs底层电池和GaInP顶层电池也分别达到26％和16.6％的效率.基于理想电池的能量转化和底层电池与顶层电池的特性分析了GaAs/GaInP双结太阳电池的能量损失.我们的结果表明，利用MBE生长含磷Ⅲ-Ⅴ化合物半导体电池有望实现高的效率转换.

关键词： 分子束外延(MBE) GaAs/GaInP双结太阳 光电转换效率 能量损失

作者: 代盼 陆书龙 季莲 何巍 杨辉

作者单位: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,器件部,苏州215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 147-151

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）