高性能GaAs激光光伏电池的研制

摘要：

　　本文介绍了通过MOCVD外延生长方法在半绝缘GaAs衬底上制备的GaAs激光光伏电池.通过干法刻蚀进行隔离,制成由六瓣单元组成的圆形电池结构,并通过引线将6个电池单元串联使开路电压达到约6V.所制备的GaAs激光光伏电池790到850nm表面反射率为1％,在830nm可调功率光纤激光器下进行测试,700mW入射功率下开路电压达6.7V、最高效率达39.3％,200mW到850mW的平均效率为38％,电池在不同的激光功率下表现性能稳定.

关键词： MOCVD GaAs 激光光伏电池

作者: 赵春雨 董建荣 赵勇明 孙玉润 李奎龙 于淑珍 杨辉

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室 江苏 苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 154-157

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）