高质量In0.68Ga0.32As/InAsxP1-x/InP热光伏电池材料的生长研究

摘要：

　　本文主要研究了在InP衬底上利用MOCVD外延技术成功生长了晶格失配大于1.1％厚度约为3微米的In0.68Ga0.32As薄膜材料；通过As组分的改变，在InAsxP1-x缓冲层中形成了张应变和压应变相互交替补偿的结构，并通过这种结构使晶格失配产生的应力得到了有效释放，最终在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格相匹配的虚拟衬底；用原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD等测试分析手段证实，这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.

关键词： In0.68Ga0.32As InAsXP1-X 应力释放

作者: 朱亚旗 陆书龙 季莲 赵勇明 谭明

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ,纳米器件与应用重点实验室,苏州市 215125

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 167-170

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）