SiC/栅介质界面优化研究进展

摘要：

　　本文针对碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件器件在高温、高频、大功率等条件下出现的问题,系统分析了SiC/栅介质界面特性对功率MOS器件载流子迁移率影响的主要因素,从钝化工艺及低温沉积技术等方面重点综述了SiC/栅介质界面优化措施,并展望了SiC基功率MOS器件未来的发展趋势。

关键词： SiC 栅介质 界面特性 界面钝化 载流子迁移率

作者: 陈树茂 王玫

作者单位: 北京航空航天大学物理系, 北京100191

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 187-193

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）