Ga-Ni合金催化生长多层石墨烯薄膜

摘要：

　　本文在Si/SiO2 衬底上采用Ga-Ni 合金作为催化剂、无定形碳膜作为固态碳源进行了石墨烯生长研究。利用Ga-Ni合金的低熔点和在高温下的强蒸发作用,成功生长出与合金催化剂衬底几乎完全分离的规则圆形多层石墨烯薄膜。通过拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)等表征方法对多层石墨烯薄膜进行了表征。结果表明Ga-Ni 合金能够有效促进无定形碳结构向石墨烯结构的转变,而且发现石墨烯薄膜质量与Ga 含量相关,Ga-Ni 合金相比于纯Ni降低了生长所需的降温速率。另外圆形石墨烯薄膜基本不和衬底金属接触,非常容易转移,不需要通常的FeCl3 刻蚀过程,避免转移过程中的污染与损伤。

关键词： 石墨烯 Ga-Ni合金 拉曼光谱

作者: 张竞存 黄奎 钟海舰 徐科 杨辉

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123;中国科学院研究生院 北京 100049 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123;苏州大学现代光学技术研究所 苏州 215006 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 207-212

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）