GaN基薄膜电池的制备、表征和分析

摘要：

　　制备同质结和异质结InGaN太阳电池，表征分析不同结构电池性能的差异，通过对比研究发现电池的结构设计、吸收区厚度、晶格质量都对电池性能产生很大的影响，尤其是保证良好的InGaN吸收区晶格质量是结构设计中所要考虑的关键问题。本文研究了限制InGaN薄膜电池性能的内在因素，为进一步研制高性能的InGaN电池奠定了重要的基础。

关键词： InGaN太阳电池 同质结 异质结

作者: 蔡晓梅 王宇 林硕 张江勇 吕雪芹 张保平

作者单位: 厦门大学物理系,微纳光电子研究室,厦门361005 厦门大学微机电研究中心,厦门361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 214-215

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）