TaN薄膜与Ge接触电学性质研究
Ge 表面具有高的表面态，当Ge与金属接触时存在强烈的费米钉扎效应，电子的势垒高度被钉扎在0.6eV 附近，严重影响器件的性能.我们研究了TaN 薄膜与Ge 接触界面特性，发现薄的TaN可有效减轻费米钉扎效应，降低金属与n-Ge 接触的势垒高度.基于势垒高度的调制，制备出具有较低接触电阻的Al/TaN 与n-Ge 的欧姆接触.最后，将Al/TaN 叠层电极结构用于Si基Ge PIN 探测器，其暗电流、响应度以及响应带宽等参数均有较大程度的提高.
TaN/Ge 接触 Si基Ge光电二极管 金属与Ge界面
李成 吴政 黄巍
厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建省厦门市 361005
国内会议
烟台
中文
219-220
2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）