不同制备方法生长的铕掺杂富硅氧化硅薄膜发光比较

摘要：

　　我们比较研究了用化学气相沉积和磁控溅射制备的铕掺杂富硅氧化硅(Eu-SRSO)薄膜的发光性质。发现采用化学气相沉积方法制备的Eu-SRSO,Eu 离子主要以二价态存在于薄膜中；在Ar+H2中退火后,发光峰位变得更加明锐。采用磁控溅射制备的Eu-SRSO,薄膜中Eu 离子二价和三价态都有；在？ 900℃ 氮气中退火,Eu3+的发光是主要发光峰；而在？1000℃ 退火时,薄膜中生成二价Eu2+离子的硅酸盐相,发光大大增强；在氧气中退火,Eu离子的发光与退火温度十分相关。薄膜中的氢以及纳米硅对Eu-SRSO 的发光有很大影响。

关键词： 硅基发光 稀土掺杂 富硅氧化硅 化学气相沉积 磁控溅射

作者: 衡成林 李晶 P.Mascher

作者单位: 北京理工大学物理学院,教育部簇科学重点实验室,北京 100081 McMaster 大学工程物理系,安大略省 L8S 4K1,加拿大

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 221-222

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）