一种测量半导体材料电学参数的C-A法

摘要：

　　本工作提出了一种测量耗尽层电容和界面态电容的新方法,即C-A法：电容——面积法。它可以分别用于测量半导体薄膜材料的杂质浓度和界面态密度。例如：测量SiC 外延片的杂质浓度,SOI、GOI材料的界面态密度。

关键词： 特定电容器 耗尽层电容 界面态电容 SOI材料(GOI材料) SiC外延片

作者: 郭恩祥 郭天瑛

作者单位: 南开大学高分子化学研究所,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 242-243

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）