基于纳球光刻技术制备的Si基宽谱减反亚波长结构研究

摘要：

　　本文针对晶Si太阳电池需要的宽谱广角减反性能，利用旋涂法在单晶Si抛光表面制备PS 纳米球单层膜，并通过氧等离子体反应离子刻蚀(RIE)调控其占空比，大面积低成本地形成晶Si材料宽谱广角减反结构需要的掩模图案，然后结合感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP)，在该晶Si衬底上获得宽谱广角减反纳米结构。文中系统分析了RIE 和ICP 条件对纳米柱形貌进而对材料宽谱广角减反性能的影响，并最终优化出平均反射率低于5％，最小反射率低于1％的Si纳米结构。

关键词： 亚波长结构 纳球光刻 ICP RIE

作者: 王岩岩 张瑞英 邵彪 董建荣 吴雪梅 杨辉

作者单位: 苏州大学文正学院,江苏,苏州,215104;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料部,江苏,苏州,215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料部,江苏,苏州,215123 苏州大学物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 250-254

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）