GaAs(Cs,O)表面原子结构与电子结构研究

摘要：

　　基于(Cs,O)层如何在GaAs光电阴极激活过程对其形成负电子亲和势起作用这一问题,本文构建了GaAs(100)面富砷(2×4)重构表面模型,基于新的GaAs NEA阴极光电发射模型”GaAs(Zn)：Cs”：O-Cs来研究模拟(Cs,O)激活阴极不同阶段的表面原子排列,计算GaAs(Zn)-Cs偶极层及O-Cs偶极层形成的能带弯曲及势垒形状,进行比较讨论。

关键词： GaAs光电阴极 负电子亲和势 表面模型 激活 势垒

作者: 杨明珠 常本康 韩静 郭婧

作者单位: 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京,210094

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012年全国光学工程博士生论坛

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1-9

在线出版日期: 2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）