栅绝缘层表面修饰对有机场效应晶体管性能的影响

摘要：

　　以真空蒸镀有机半导体材料并五苯为有源层,SiO2 作为绝缘层,不同的栅绝缘层修饰材料：聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA),聚苯乙烯(PS),聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和自组装单层(SAM)十八烷基三氯硅烷(OTS)作为栅绝缘层修饰层,金作为源漏电极,制备了五个底栅顶接触的有机场效应晶体管(OFETs)。文章通过对这些器件的电性能进行对比,发现器件显示出高的迁移率和开关比,经原子力显微镜(AFM)和X-ray 衍射(XRD)证实是由于修饰层优化了并五苯薄膜的生长。

关键词： 有机场效应晶体管 并五苯 表面修饰 场效应迁移率

作者: 李雯 仪明东 石巍巍 解令海 黄维

作者单位: 南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地 江苏南京文苑路9号 210046

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012年全国光学工程博士生论坛

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）