GaAs基片高温加热清洗过程中残气脱附的研究
用四极质谱仪研究了GaAs基片高温加热清洗过程中常见气体及氧化物的脱附规律。研究结果表明：常见气体(H2、H2O、N2、CO、CO2、Ar、CxHyOz)在100℃左右开始大量脱附；Ga、As元素主要以单质和氧化物的形态脱附,其脱附的温度存在两个峰值,分别是300℃和600℃；研究还发现真空环境中某些常见气体的含量会影响到Ga、As元素的脱附形式。当H2含量较高时,一部分As会以AsH3的形态脱附,Ga、As元素不同形态的脱附对应的脱附温度略有不同。掌握了这些研究结果,就可以针对不同的GaAs基片和不同的真空环境找出合适的清洗温度,从而优化加热清洗工艺,获得原子级清洁表面。
GaAs光电阴极 高温加热清洗 超高真空 脱附
葛仲浩 常本康 鱼晓华
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京,210094
国内会议
南京
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2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）