发射层厚度对反射式GaN光电阴极性能的影响
通过求解一维少子稳态扩散方程,推导得到发射层厚度为Te的量子效率公式.在超高真空系统中对MOCVD生长的掺杂浓度为1.6×1017cm-3、3×1018cm-3和5×1017cm-3,发射层厚度分别为150nm、150nm和600nm的三个样品进行激活并在线测试光谱响应,引入255nm入射光量子效率与350nm量子效率的比值K.利用推导得到的量子效率公式对三条曲线进行拟合.结果表明,发射层厚度增加,有利于长波量子效率提高.此外,量子效率峰值和K值能较好地反映后界面复合速率对阴极光谱响应的影响,并且在后界面复合速率小于104cm/s时,发射层的厚度存在最佳值,此时阴极光谱响应最好.
反射式GaN 发射层厚度 后界面复合速率 量子效率
郝广辉 常本康 王晓晖 付小倩 陈鑫龙 金睦淳 鱼晓华 郭婧
南京理工大学,电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094
国内会议
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2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）