GaAlAs缓冲层对具有薄发射层的反射式GaAs光电阴极的影响
传统的反射式GaAs光电阴极量子效率公式不能很好地与发射层较薄的情况下的量子效率实验曲线拟合。考虑GaAlAs缓冲层产生光电子,通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方程,得到修正后的反射式GaAs光电阴极量子效率公式,并利用求得的量子效率公式进行理论仿真,分析了发射层厚度、后界面复合速率等阴极性能参数对量子效率的影响。利用修正前后的量子效率公式,分别与两种不同厚度的GaAs量子效率实验曲线进行拟合分析,结果表明考虑修正后的量子效率公式更符合GaAs发射层较薄的光电阴极。在发射层较薄的GaAs光电阴极中,GaAlAs缓冲层不仅起到晶格匹配的效果,还参与了阴极的光电发射。
反射式 光电阴极 量子效率 GaAlAs缓冲层
陈鑫龙 张益军 常本康 金睦淳 郝广辉 徐源
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏 南京 210094
国内会议
南京
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2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）