GaAs电子结构和光学性质研究
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波赝势方法系统地计算了闪锌矿GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,闪锌矿GaAs是直接带隙半导体,计算得到的禁带宽度为0.537eV,计算结果表明GaAs材料的价带主要由Ga3d态、As4s态和As4p态电子构成,导带主要由Ga4s态及Ga4p态电子构成,As4p态电子对应于价带顶电子,而Ga4s态电子对应于导带底电子.GaAs的电传输性质及载流子类型主要由费米面附近的As4p态电子和Ga4s态电子决定；静态介电常数)0(1ε=9.924,折射率=3.1521；利用计算结果分析了材料的能带结构、态密度；并对计算得到的光学性质进行了研究,并与实验测得的结果进行了比较.为GaAs光电材料的设计与应用提供了理论依据.
第一性原理 GaAs 电子结构 光学性质
鱼晓华 常本康 葛仲浩
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京,210094
国内会议
南京
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2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）