MBE与MOCVD生长的宽光谱GaAs光电阴极组件结构对比
通过MBE和MOCVD生长了宽光谱响应指数掺杂GaAs光电阴极材料,并制备成具有玻璃/Si3N4/Ga1-xAlxAs/GaAs结构的透射式组件。采用分光光度计测量了组件的反射率和透射率光谱,根据薄膜光学矩阵理论拟合了每个组件中除玻璃外三个薄膜层的厚度值。对比结果表明对于MBE生长的GaAs光电阴极,在Ga1-xAlxAs窗口层和GaAs发射层之间需要加入且只能加入一个低Al组分修正层来拟合,可以提高拟合精度,而MOCVD生长的组件不存在这样的情况。从掺杂的精细控制考虑,MBE生长的材料是最佳选择,而MOCVD适合渐变的指数分层分布；从材料的外光电效应考虑,MOCVD生长材料的电子扩散长度要大于MBE的材料。这些结论对III-V族光电阴极材料生长有指导意义。
光电子材料与技术 GaAs光电阴极 组件结构 修正层
赵静 常本康 张益军 熊雅娟 郭晖
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏 南京 210094 微光夜视技术重点实验室,陕西 西安 710065
国内会议
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2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）