聚酰亚胺石墨膜的制备及表征
将不同厂家生产的不同厚度聚酰亚胺(PI)薄膜进行压制炭化、石墨化处理得到PI石墨膜.采用偏光显微镜、扫描电镜、X-射线衍射等测试手段分析了不同PI薄在高温热处理过程中的结构演变.研究结果表明:杜邦PI膜(50μm)经3000℃高温石墨化后能形成三维有序堆积的石墨层状结构和较为完整的石墨晶体,其石墨片层间距为0.336 nm,层片堆积高度达到65.94nm,石墨化度高达93％,室温面向电阻率为0.48μm,实测面向热导率达到了1000W/m·K.随着热处理温度的提高,PI膜微晶由无定型向有序类石墨结构转变,其结晶度和层片取向程度提高,石墨晶体逐渐完善.PI膜厚度越大,其类石墨晶体生长发育越困难,层片择优取向程度越低.国产PI膜经3000℃高温石墨化后形成无定型结构炭,其石墨微晶尺寸较小.
聚酰亚胺石墨膜 制备工艺 性能表征 显微结构
袁观明 熊小庆 董志军 崔正威 从野 张江 李艳军 李轩科
武汉科技大学化学工程与技术学院,武汉430081
国内会议
太原
中文
54-64
2013-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）