基于TSV的3D堆叠集成电路测试挑战

摘要：

过硅通孔(TSVs),通过减薄的晶圆基片,提供了高密度,低延时,和低功耗的垂直互连,从而使创建3D堆叠芯片成为可能.但3D SICs充满了测试挑战,而解决方案才刚刚兴起.本文介绍了基于TSV的3D堆叠芯片新的测试流程、TSVs绑定前测试的挑战和TSVs绑定后的可靠性与测试挑战.其中包括KGD与KGD晶圆级测试和老化、DFT技术、绑定前可测性、测试经济性、TSVs绑定后的可靠性和测试问题,包含了3D集成独有的问题,并总结了在这一领域的早期研究成果.

关键词： 三维堆叠集成电路 测试方法 可靠性分析 过硅通孔

作者: 韩博宇 王伟 刘坤 陈田 李润丰 郑浏旸

作者单位: 合肥工业大学,安徽合肥 230009;情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室,安徽合肥 230009

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第24届计算机技术与应用学术会议(CACIS-2013)

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 337-342

在线出版日期: 2013-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）