会议专题

SiC包覆材料高温氧化行为研究

本实验在工业规模喷射流化床内通过化学气相沉积法制备了SiC包覆层(3.18 g/cm3),进行了800~1600℃的高温氧化实验和质量变化分析,并采用XRD、EDS和SEM对不同温度考验后的SiC进行了表征分析,给出了SiC包覆层在高温氧化条件下的变化规律.质量变化分析发现在1200℃以后,SiC增重随温度上升增重逐渐增加;高分辨SEM结果发现,1000℃时包覆层表面微米级的SiC微细晶体结构仍然清晰可见,温度升高时逐渐被氧化消失.在SiC表面形成斑点状分布的Si的氧化物,并逐渐在氧化斑点周围形成裂纹.随温度升高氧又会深入裂纹的界面继续氧化,把形成的氧化层剥离掉.1400℃时已经可以看出明显的剥离现象,断面SEM发现氧化层非常薄,说明氧化非常缓慢.1500℃时出现玻璃化共融现象,1600℃时形成类似蜂窝状结构.XRD分析发现1400℃开始有SiO2尖锐峰出现;EDS也发现随温度升高包覆层表面氧含量逐渐增加,半定量分析结果和上述结论吻合.

高温气冷堆燃料颗粒 碳化硅包覆层 制备工艺 高温氧化行为 微观结构

刘马林 邵友林 刘兵 李自强

清华大学,北京100084

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2012-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)