Dy3+掺杂γ-AlON基荧光粉的合成及其发光性能
以AlN、Al2O3、Dy2O3为原料,采用高温固相反应法在1900℃、5 MPa氮气气氛条件下合成AlON:Dy3+荧光粉,研究了Dy3+掺杂离子浓度对荧光粉的物相组成和发光性能的影响.结果表明:当Dy3+掺杂浓度较低时(x=0.005～0.100)合成纯的AlON相,随着Dy3+掺杂浓度的增大(x=0.125～0.250),出现微量的DyAlO3相.该荧光粉在354 nm处有最强激发,其在354 nm激发下呈现3个发射峰,分别位于蓝光483 nm(19F9/2→6H15/2)、黄光578 nm(19F9/2→ 6H13/2)和红光670 nm(19F9/2→6H11/2),其中在578 nm处黄光为最强发射.随着掺杂离子Dy3+浓度的增大,其激发峰和发射峰的强度均表现出先增大后减小的变化规律,其中当x=0.050时,发射强度最高.
γ-AlON基荧光粉 合成工艺 发光性能 掺杂处理
钟飞 刘学建 黄政仁 李会利
中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海 200050;中国科学院研究生院,北京100049 中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海 200050 华东师范大学,上海200062
国内会议
南京
中文
26-28
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）