InN纳米线的制备与表征

摘要：

采用静电纺丝法制备出了高长径比的立方相In2O3纳米线.将In2O3纳米线置于NH3气流中进行原位氮化反应,合成得到了高质量的InN纳米线,转化率高达100％.通过调节氮化反应的温度及时间,系统研究了制备InN纳米线的最佳合成工艺参数.利用这种方法得到的氮化铟纳米线具有长径比高、直径分布单一、纯度高以及产量大的特点,为今后InN纳米器件的大规模制备和应用提供了一个有效的途径.

关键词： 半导体材料 一维纳米线 制备工艺 性能表征

作者: 黄思雅 李和平 欧刚 成婧 潘伟

作者单位: 清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 33-36

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）