(100)MgO/Fe过渡层对半金属Fe3O4薄膜磁性能的影响
Fe3O4具有理论100％自旋极化率、高居里温度(858 K),是能在室温下应用到自旋器件中的半金属材料.本研究采用对靶直流磁控溅射的方法制备了(100) MgO/Fe种子层,在此种子层上通过调节溅射工艺条件,得到了(100)晶向的Fe3O4薄膜.用XRD和TEM确认了反尖晶石相和(100)优先取向.采用VSM测试了样品的磁滞回线.结果表明,加入(100) MgO/Fe种子层后,Fe3O4薄膜的结构取向由随机排列转变到(100)优先取向,Fe3O4薄膜的磁性能发生了改变,具有了一定的垂直磁性能,AFM显示薄膜具有平整的平面,这利于通过加外加交换耦合薄膜来调节薄膜的磁性能,从而对自旋器件的应用有意义.
半金属四氧化三铁薄膜 制备技术 工艺参数 磁性能分析
王梅玲 杨志刚 张弛 中川茂树 于荣海
清华大学 先进材料教育部重点实验室,北京100084 东京工业大学,东京152-8552 北京航空航天大学,北京10091
国内会议
南京
中文
79-82
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）