硫化镉纳米结构的湿化学法合成及生长机理研究
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料CdS具有较大的禁带宽度(2.42 eV),因而在纳米光电子器件等领域有重要的应用前景.纳米硫化镉材料在电学、磁学、光学、力学和催化等领域呈现出更多优异的性能.本文采用湿化学法在乙二醇体系中,利用以氯化镉为反应物,水合肼为还原剂制备获得的金属钴纳米粒子为前驱物,以低温前驱物硫化法在高分子PVP的修饰下成功的合成出了直径60～80 nm的硫化镉纳米颗粒,并对硫化镉的生长机理及影响硫化镉纳米粒子尺寸分布的因素进行了研究.
硫化镉 纳米结构 制备工艺 生长机理
张亚辉 程曦 王庆
东北大学,河北秦皇岛066004 秦皇岛职业技术学院,河北秦皇岛066100
国内会议
南京
中文
119-121
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）