燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

摘要：

采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂.通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征.结果表明:PTFE含量为10wt％时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌.利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4 GHz频率范围的微波介电常数,10wt％ PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ.

关键词： 吸波材料 碳化硅粉体 燃烧合成法 微波介电性能

作者: 李智敏 黄云霞 卫晓黑 张茂林 周万城 郝跃

作者单位: 西安电子科技大学技术物理学院,陕西 西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西西安710071 西安电子科技大学技术物理学院,陕西 西安 710071 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西 西安 710072 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西西安710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 154-156

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）