新型低介低损耗BaTiSi2O7微波介质陶瓷研究
BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗.采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷.X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构.同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1 kHz~1 GHz频率范围内为8~10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料.
微波介质陶瓷 制备工艺 结构分析 性能表征
朱满康 管晓辉 吴兴轩 侯育冬 严辉
北京工业大学,北京100124
国内会议
南京
中文
189-192
2012-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)