放电等离子烧结制备纯T”相YSZ陶瓷的研究

摘要：

采用经过等离子喷涂处理的8％(质量分数,下同)YSZ纯T”相陶瓷粉体,经过高能球磨和高能搅拌磨处理后分别在1400、 1450、1500、1600℃下进行放电等离子烧结,保温5～15 min,得到不同显微结构的陶瓷样品.XRD分析结果显示其仍保持纯T”相.通过对其粉体和烧结后样品显微形貌的分析,探讨晶粒长大与烧结条件的关系,从而得到最优的YSZ纯T”相陶瓷制备工艺为1450℃/5 min.

关键词： 氧化钇稳定氧化锆陶瓷 放电等离子烧结技术 制备工艺 显微结构 性能表征

作者: 任小瑞 赵蒙 潘伟

作者单位: 清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 477-480

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）