会议专题

退火温度对BZT薄膜介电性能的影响研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。X射线衍射分析表明,该BZT薄膜为钙钛矿结构而无其它物相存在。光学显微镜分析结果表明,退火温度为900℃时,BZT薄膜表面光滑平整,无裂纹产生;同时其介电常数最大而损耗最低。

锆钛酸钡薄膜 溶胶-凝胶法 退火温度 介电性能

邓小玲 郭冬娇 蔡苇 符春林

重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆 401331

国内会议

2013海峡两岸功能材料科技与产业峰会

重庆

中文

115-116

2013-05-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)