内层DES残铜缺陷研究
主要阐述了内层DES(显影、蚀刻、剥离工艺)残铜缺陷的种类,导致DES残铜缺陷的污染源的定位.对不同DES残铜缺陷进行分类研究,首先对显影类残铜缺陷进行了定位性试验验证,确定污染物来源于显影水洗第一缸,原因为水溶性干膜由于溶解度的剧烈变化导致有机物的析出从而导致了后续的显影类残铜和蚀刻类残铜.对于蚀刻类残铜的来源进行了分析定位,同时给出了控制措施.对以上措施的综合性实施后,残铜数据有较前期有明显的改善并能够长时间稳定在优良水平.
印刷电路板 制备工艺 残铜缺陷 污染物
姚小山 李瑞环 彭镜辉 任金磊
东莞生益电子有限公司,广东东莞523039
国内会议
上海
中文
77-87
2013-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)