背电极对AlGaN/GaN RESURF HEMT击穿电压的影响
针对常规AlGaN/GaN RESURF HEMT中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出了一种带有背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构.该背电极通过感应诱生负电荷,调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电压.计算机仿真结果表明,对于栅漏间距为6μm的器件,背电极的引入使器件击穿电压得到了显著的提升(从1118V增至1701V),同时对器件导通电阻几乎没有影响(从0.87mΩ·cm2增至0.88mΩ·cm2).研究结果为高耐压大功率AlGaN/GaNHEMT设计提供了一种新的思路.
高电子迁移率晶体管 击穿电压 背电极 负电荷
赵子奇 尹成功 罗杰 杜江锋
电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都,610054
国内会议
成都
中文
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2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）