基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究
随着单片集成技术的发展,高压BCD工艺集成技术也得到了相应的提高.此设计中在保证击穿电压与SR(single RESURF)结构相近的条件下,在高压N阱内增加了P-top层,从而得到了DR NLDMOS的器件结构.本文运用Tsupreme4和medici 等TCAD工具对器件结构进行计算机模拟设计,从而得到了在击穿电压与SR NLDMOS相同击穿电压,但导通电阻比其小近30％.最终在0.8um 700V工艺平台上进行了实验验证,得到其击穿电压为780V,比导通电阻为190mΩ* cm2.其击穿电压和比导通电阻与仿真结果相符合.
金属氧化物半导体器件 击穿电压 比导通电阻 工艺窗口
张广胜 何乃龙 方健 张森
电子科技大学功率集成技术实验室四川成都,610054 华润上华半导体有限公司江苏无锡,214000
国内会议
成都
中文
13-15
2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）