有关SiGe源及CESL对纳米nMOSFET性能提高的研究

摘要：

本文主要研究NMOSFET的性能提高,以SiGe作为纳米nMOS的源,能够有效降低器件的源漏电阻Rsd,进而提升器件性能.本文设计了以SiGe作为源的纳米尺寸nMOSFET,并用TCAD器件仿真软件对其进行仿真,结果表明,SiGe源nMOS的跨导相比于普通Si nMOS的源漏电阻降低了9％,输出特性曲线ID-VD提高了7％,如果以刻蚀阻挡层作为应力源,向沟道中引入应力,器件的性能进一步得到提高.

关键词： 场效应晶体管 锗化硅材料 刻蚀阻挡层 性能优化 源漏电阻

作者: 王微 李竞春 甘程 崔伟

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 20-22

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）