6500V FS-IGBT的栅电容设计与特性分析

摘要：

本文利用仿真软件对6500V FS-IGBT的传统结构和T型栅结构进行了电特性仿真,通过对器件静态和动态特性的研究发现:T型栅结构随着薄氧化层L1的增大,器件的正向压降增大,器件的关断延迟时间降低,采用合适的L1值,得到了优化的T型栅结构.

关键词： 绝缘栅双极晶体管 栅电容 击穿电压 优化设计 仿真分析

作者: 单亚东 宋洵奕 邹有彪 宋文龙 李泽宏 张金平

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 广东东莞523000

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 23-27

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）