抗2000VESD的JFET设计

摘要：

本文设计了一种具有ESD自保护能力的硅N沟道高跨导JFET.JFET采用外延扩散工艺,ESD保护器件采用SCR结构,并且将ESD保护器件和JFET集成到同一块硅片上,实现了JFET电学参数、ESD保护能力、器件版图面积的良好折衷.仿真结果表明所设计的JFET具有2000V的抗HBM模型ESD能力.

关键词： 结型场效应晶体管 结构设计 电性能 保护器件

作者: 邹有彪 宋文龙 李泽宏 顾鸿鸣 张鹏

作者单位: 电子科技大学 成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 32-35

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）