掺杂SBT顺电相电子结构研究

摘要：

利用第一性原理方法,研究SrBi2Ta2O9(SBT)顺电相的电子结构,并根据研究结果以及实验报道,研究了B位掺V和Bi层掺La对其电子结构的影响，指出B位掺杂对电子结构影响不大，而Bi层掺入镧系元素La后能隙明显减小。

关键词： 顺电相 电子结构 第一性原理 掺杂效应 介电性能

作者: 郑哲琦

作者单位: 电子科技大学 成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 36-38

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）