具有pn结复合缓冲层的大功率AlGaN/GaN HEMTs器件研究

摘要：

对具有pn结复合缓冲层的AlGaN/GaN HEMT器件进行了仿真研究.首先,对pn结复合缓冲层减小泄漏电流的原理进行了说明.其次,对Lgd=6μm的AlGaN/GaN HEMT器件的特性进行了分析,包括输出特性、转移特性以及击穿特性.仿真结果显示,采用pn结复合缓冲层后,器件泄漏电流减小了近两个数量级,器件击穿电压从73 V上升到880V.最后,在保持pn结各单层厚度不变的情况下,对pn结各单层的掺杂浓度范围进行了优化.仿真结果显示,n型单层掺杂浓度超过3×1017 cm-3时,器件击穿电压开始下降.

关键词： 高电子迁移率晶体管 pn结复合缓冲层 击穿电压 缓冲层漏电流 仿真分析

作者: 尹江龙 杜江锋 马坤华 张新川 赵子奇 于奇

作者单位: 电子科技大学 四川省成都市建设北路二段四号 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 39-42

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）