应变LDMOS器件的特性研究

摘要：

本文通过二维仿真软件研究采用SiN薄膜在LDMOS中引入应力对器件特性的影响.通过SiN薄膜覆盖在LDMOS器件的不同器件区域来研究漂移区中引入应力对器件击穿电压的影响.仿真结果表明覆盖有应力的SiN膜的器件的跨导、驱动能力均有提高,同时不会因为施加应力使带隙减小而带来击穿问题.相比传统的LDMOS器件,SiN覆盖整个器件的LDMOS的饱和电流提升45％,迁移率因子为1.173,击穿电压几乎不变.

关键词： 横向扩散金属氧化物半导体器件 应变硅 击穿电压 饱和电流 仿真分析

作者: 郑良晨 王微 曾庆平 王凯 刘斌 甘程

作者单位: 电子科技大学 四川成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 43-45

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）