堆栈NMOS器件性能的研究
堆叠NMOS(Stacked-NMOS,STNMOS)在静电放电保护(Electro-Static Discharge,ESD)设计中得到了广泛的应用,其可在不增加栅氧厚度的前提下,有效的提高了器件的栅氧可靠性和降低了漏电流的影响.但是相对于普通MOS管,STNMOS的ESD能力要弱很多,为此需要进行一些优化来提高其ESD能力.本文首先讨论了STNMOS的触发机理,并通过Sentaurus仿真工具,根据电流密度和电场的分布验证上述触发机理;其次研究了STNMOS栅极之间的N+区对器件性能的影响,并分析了产生的原因.
N型金属氧化物半导体器件 栅氧可靠性 电流密度 电场分布图 仿真分析
盛玉荣 樊航 蒋苓利 乔明
电子科技大学 四川成都610054
国内会议
成都
中文
50-53
2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）