应用于芯片ESD的低压触发SCR结构参数对其维持电压的影响
LVTSCR(低压触发SCR)具有低触发电压,高二次击穿电压It2等特点,在ESD(静电防护)设计中具有广泛的应用,但其低Vhold(维持电压)很容易导致latch-up(闩锁效应),从而导致器件或电路失去控制,最终可能导致器件或芯片损毁.本文主要研究LVTSCR自身的参数对其Vhold值的影响.根据Sentaurus软件仿真结果显示,拉长寄生NPN的基区宽度和寄生PNP的基区宽度都可以有效提高Vhold电压,但是拉长寄生NPN的基区宽度更能有效的提高Vhold值.另外横跨N型阱和P型阱的N+注入区的宽度也对Vhold有一定影响.
可控硅器件 低触发电压 结构参数 闩锁效应 静电防护
曲黎明 盛玉荣 蒋苓利 罗小蓉
电子科技大学功率集成技术实验室 成都610051
国内会议
成都
中文
54-56
2012-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)