抗辐照MOSFET 3D TCAD仿真

摘要：

本文首先在Sentaurus中建立了3D MOSFET仿真模型,对多组不同尺寸MOSFET的电学特性的仿真与修正,与实测0.5μm,标准CMOS工艺下多组NMOS和PMOS的电学特性数据作对比,提取出了符合实际的器件参数与物理模型参数.结合总剂量辐照理论,利用器件参数和所加物理模型研究了器件辐照后的电学特性.本文通过仿真研究了P+多晶硅栅(P型多晶硅栅)结构辐照前后特性的变化,发现P型多晶硅栅结构能有效抑制NMOS辐照泄漏电流.

关键词： 金氧半场效晶体管器件 抗辐照性能 P型多晶硅栅 参数模型 仿真分析

作者: 王凯 甘程 李念龙 李鹏 于文华 刘昌举 陈文斌 王向展

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 中国电子科技集团公司第四十四研究所 重庆400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 57-59

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）