限制电流对阻变存储器性能影响
阻变存储器具有存储单元结构简单、擦写速度快、功耗低、有利于大规模集成等优点,受到广泛关注.本文论述了RRAM的基本结构和工作原理,对RRAM阻态转换过程中的SET限制电流对低态电阻的影响进行研究,并提出了一种实现多位存储的方法.对比了SET过程的最大电流与RESET过程的最大电流的关系以及RESET过程最大电流对高态电阻和器件性能的影响,RESET电流在5mA至20mA的范围内随SET过程的限制电流增大而增大,当限制电流超过20mA时,高态电阻发生退化.分析并研究了串联电阻对RRAM阻态转换过程的影响.
阻变存储器 钳制电流 串联电阻 多位存储
董华
电子科技大学 四川成都610054)
国内会议
成都
中文
60-62
2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）