一种新的MOS管抗总剂量辐射加固措施

摘要：

本文总结了MOS管在版图结构设计方面可以采取的抗总剂量辐射加固措施,探讨了这些措施的作用机理及优缺点.基于这些,本文提出了一种新的加固结构—环栅-P栅切割结构,并利用Sentaurus TCAD对所提出的加固措施的有效性进行了仿真.结果证明,本文所提出的结构可以实现抗总剂量辐射加固.

关键词： 金属氧化物半导体器件 版图设计 加固结构 总剂量辐射 仿真分析

作者: 李念龙 王凯 于文华 刘昌举 王向展

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054 中国电子科技集团公司第四十四研究所 重庆400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 63-65

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）