功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法

摘要：

器件的可靠性一直是功率电力电子器件设计的一个核心问题.功率MOSFET的UIS(非钳位感性开关)特性是衡量其可靠性的重要指标.本文系统论述了功率MOSFET器件UIS能力的测试原理、器件失效机制、影响UIS能力的因素,并结合具体实例提出了改善功率MOSFET器件UIS能力的几种方法.

关键词： 功率金氧半场效晶体管 非钳位感性开关 结构设计 可靠性评估

作者: 李果 任敏 李泽宏 张金平

作者单位: 电子科技大学 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 180-183

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）